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[发明专利]穿隧式磁阻传感器-CN201110346438.1有效
发明人：李乾铭;陈光镜;刘富台 -专利权人：宇能电科技股份有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方，并具有多个开口。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵列上方，并电性连接至此电极阵列。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器，也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接，具有简化制程与节省成本的优点。
穿隧式磁阻传感器

[发明专利]电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元-CN202310026575.X在审
发明人：黎俊霄;赖宗沐;沈政彦;许家荣 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元。此存储单元形成于半导体基板的阱区上。此存储单元具有一存储晶体管。存储晶体管的栅极结构包括：第一隧穿层、第二隧穿层、捕捉层、阻挡层与栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。捕捉层覆盖于第二隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。第二隧穿层中有渐变的氮分布。第二隧穿层中靠近第一隧穿层的第一区域的第一氮浓度低于第二隧穿层中靠近捕捉层的第二区域的第二氮浓度。
电荷捕捉非易失性存储器存储单元

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构-CN202110598874.1在审
发明人：吴奕廷;黄正同;王荏滺;谢咏净;杨伯钧;陈健中;李柏昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构，其中该磁阻式随机存取存储器电路结构中的存储单元具有依序串联的三个晶体管以及四个磁隧穿结，其中第一晶体管与第三晶体管的连接处为第一结点，第二晶体管与第三晶体管的连接处为第二结点，第一晶体管与第三晶体管的另一端连接到一共同的来源线，第一磁隧穿结与第二磁隧穿结串联构成第一磁隧穿结组且一端连接到第一结点，第三磁隧穿结与第四磁隧穿结串联构成第二磁隧穿结组且一端连接到该第二结点。
磁阻随机存取存储器电路结构布局

[发明专利]一种鳍式浮栅存储器件-CN202210333550.X在审
发明人：王浩;钱烽;何哲;马国坤 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。
一种鳍式浮栅存储器件

[发明专利]一种非接触式半导体电性故障分析法-CN202110748761.5在审
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣;林荣君 -专利权人：汎铨科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式半导体电性故障分析法，利用一包含探针、电流放大器、反馈控制器及计算机的扫描穿隧式显微镜以非接触方式半导体样品的表面方式进行电性故障分析，其特征在于扫描穿隧式显微镜的探针放置于相对于半导体样品表面的(+)Z轴方向，施加一偏压于扫描穿隧显微镜的探针与半导体样品之间以产生一穿隧电流后沿相对于半导体样品表面的X、Y轴方向进行扫描且同时侦测半导体样品的表面所量测到的穿隧电流，穿隧电流经放大后被送到计算机进行分析
一种接触半导体故障分析

[发明专利]磁阻式存储器结构-CN201910119591.7有效
发明人：吴奕廷;吴祯祥;杨伯钧;谢咏淨;郑宗昇;陈健中;王荏滺;黄正同 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式存储器结构，其具有第一磁阻式存储器组包含一第一晶体管，第一晶体管包含一第一栅极结构、一第一源极/漏极区和一第一共同源极/漏极区，一第二晶体管包含一第二栅极结构、一第二源极/漏极区和第一共同源极/漏极区，一第二磁性隧穿结设置于第二晶体管之上，其中第一共同源极/漏极区电连接第二磁性隧穿结，一第一磁性隧穿结设置于第一晶体管之上，其中第一磁性隧穿结和第二磁性隧穿结的大小不同，第二磁性隧穿结串联第一磁性隧穿结，一位线电连接第一磁性隧穿结以及一源极线电连接第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。
磁阻存储器结构

[实用新型]一种移动式隧穿磁阻效应交通检测装置-CN201520237062.4有效
发明人：饶建炜;朱强;孔祥喜;方世斌;徐玥昊;秦德昌 -专利权人：广州维脉电子科技有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G08G1/042 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种移动式隧穿磁阻效应交通检测装置，包括隧穿磁阻效应检测器和多功能数据处理器，隧穿磁阻效应检测器包括第一工业级充电锂电池、隧穿磁阻效应传感器、信号处理电路、第一微控制电路、第一通信模块、第一数据存储模块、温度采集模块和第一电源管理模块，第一电源管理模块分别与隧穿磁阻效应传感器、信号处理电路、第一微控制电路、第一通信模块、第一数据存储模块、温度采集模块和第一工业级充电锂电池连接，用于进行供电，隧穿磁阻效应传感器采用推挽式惠斯通全桥结构。实施本实用新型的移动式隧穿磁阻效应交通检测装置，具有以下有益效果：具有更高的灵敏度、更好的温度稳定性、更低的功耗和更好的线性度。
一种移动式磁阻效应交通检测装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法-CN201110261944.0有效
发明人：陈永祥;颜诚廷 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法。在基板上的穿隧磁阻(TMR)结构，包括具有相同图案和相同磁性薄膜堆栈的两个磁性穿隧接面(MTJ)器件，位于同一导电性底部电极上以及并联连接的导电性顶部电极。每个磁性穿隧接面器件包括：固定层，其位于所述底部电极上、具有固定磁距；非磁性穿隧层，其位于所述固定层上；以及自由层，其位于所述穿隧层上、且具有自由磁距。这两个磁性穿隧接面器件具有共线的易轴，且其固定磁距都平行于同一固定方向，所述同一固定方向与易轴具有45度角；在初始时以电流产生的磁场使其自由磁距平行于所述易轴但方向相互反平行。
磁阻结构以及集成轴向磁场传感器与其制造方法

[发明专利]一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途-CN202010529849.3有效
发明人：宋学锋;刘絮;李成 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途。所述隧穿式MEMS气压传感器包括基底和依次设置于所述基底上的环状金属电极和石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜覆盖环状金属电极的中空腔体，且所述石墨烯薄膜的边缘设置在环状金属电极上。本发明首次将石墨烯材料运用到隧穿型气压传感器中，相比于普通金材料电极，石墨烯材料可以有效避免电迁移现象，提高气压传感器的寿命；同时由于隧穿电流在纳米级尺寸的电极尖端产生，气压传感器易于小型化，可以根据使用需求设计电极的尺寸与形状，设计原理相同的各种隧穿电流式气压传感器。
一种隧穿式 mems 气压传感器及其用途

[实用新型]一种MIS晶体硅太阳能电池-CN201520878065.6有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极，Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：Al正电极取代传统昂贵的Ag正电极，Al正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和Al正电极接触，从而将电子导出；Al正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
一种 mis 晶体太阳能电池

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供一种平面式自旋轨道磁性组件。此平面式自旋轨道磁性组件包括重金属层、反铁磁层以及磁穿隧接面。反铁磁层设置于重金属层上，且磁穿隧接面设置于反铁磁层上。磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路-CN201310208477.4有效
发明人：陈永祥;郭耿铭;王丁勇;简政尉 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：该三轴磁场传感器，包括具有第一易轴且感测X轴磁场的第一穿隧式磁电阻器；具有第二易轴且感测Y轴磁场的第二穿隧式磁电阻器；感测Z轴磁场的出平面磁场传感器；及参考单元。出平面磁场传感器包括具有第一斜面与第二斜面的凹槽或凸块结构；第三穿隧磁式电阻器位在第一斜面且具有第三易轴；第四穿隧式磁电阻器位在第二斜面上且具有第四易轴；一中轴与平分方向垂直且与第三易轴和第四易轴平行。参考单元具有第五穿隧磁式电阻器及与平分方向平行的第五易轴。
磁场传感器制作结构方法电路

[发明专利]磁隧穿结装置及其形成方法-CN201910030827.X在审
发明人：陈纬;王慧琳;杨玉如;林进富;邹宜勲;杨钧耀 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。
磁隧穿结装置及其形成方法

[发明专利]一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管及其制备方法-CN201811539596.7在审
发明人：张卫;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：Si衬底；形成于Si衬底中的U型槽；位于Si衬底中的嵌入式隧穿晶体管的源极；与所述嵌入式隧穿晶体管的源极相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙本发明采用SiGe作为嵌入式晶体管的源极，以改变嵌入式晶体管的能带结构，降低源极的导带底并提高源极的价带顶；提高源极的价带顶可以使得隧穿晶体管能在更小的漏极电压的条件下实现电子从源极价带向漏极导带的隧穿
源极栅极叠层浮栅晶体管隧穿晶体管衬底价带隧穿嵌入式晶体管栅极侧墙嵌入式导带制备集成电路器件制造降低功耗漏极电压能带结构漏极漏区源区

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